![سامانه نشر مجلات علمی دانشگاه تهران](./data/logo.png)
تعداد نشریات | 162 |
تعداد شمارهها | 6,578 |
تعداد مقالات | 71,072 |
تعداد مشاهده مقاله | 125,681,762 |
تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 98,911,861 |
تعیین گروههای سازگاری رویشی قارچ Fusarium oxysporum f.sp. tuberosi در استان خراسان | ||
مجله علوم کشاورزی ایران | ||
مقاله 8، دوره 34، شماره 1 - شماره پیاپی 1456، فروردین 1382 اصل مقاله (252.73 K) | ||
نویسندگان | ||
حجتاله قلعه دزدانی؛ ماهرخ فلاحتی رستگار؛ بهروز جعفرپور؛ مجتبی مرادزاده اسکندری* | ||
چکیده | ||
دراینتحقیقگروههای سازگاری رویشی (VCG)چهل جدایه Fusarium oxysporum f.sp. tuberosi، عامل بیماری های مهم سیب زمینی در سه مرحله در انبار و مزرعه شامل پوسیدگی خشک فوزاریمی پژمردگی و پوسیدگی انتهایی ساقة سیب زمینی که از مناطق مختلف سیب زمینی کاری استان خراسان جمع آوری شده بودند، با استفاده از جهش یافتگان نیت تعیین شد. ابتدا جهش یافتگان نیت بصورت سکتورهائی در محیط های مختلف کلرات دار تولید شدند. سپس کلاس فنوتیپی جهش یافتگان نیت بر اساس مشخصات رشدی پر گنة آنها روی محیط پایه که حاوی یکی از پنج نوع منبع نیتروژن ( نیترات سدیم، نیتریت سدیم، تارتارات آمونیم، اسید اوریک و هیپوزانتین) بود، تعیین گردید. بر این اساس 9/49 درصد از جهش یافتگان نیت متعلق به کلاس فنوتیپی nit 1، 3/30 درصد به کلاس فنوتیپی nit3و 9/15 درصد در کلاس فنوتیپی Nit Mقرار گرفتند. 9/3 درصد از جهش یافتگان نیت در هیچ کلاس فنوتیپی قرار نگرفتند که به آنها crn اطلاق می گردد. به منظور انجام آزمون های مکمل سازی و تعیین گروههای سازگاری رویشی، بین تمامی جهش یافتگان Nit M هر جدایه با جهش یافتگان nit 1 یا nit 3 سایر جدایه ها مقابله برقرار گردید. جدایه هائی که قادر به تشکیل هترکاریون های پروتروف پایدار در حد فاصل پرگنه های سازگار Nit M با nit 1 یا nit3 بودند، در یک گروه سازگاری رویشی قرار گرفتند. نماد تشکیل هترکاریون پروتروف، تشکیل خط رشدی متراکم از میسلیوم های هوایی در حدفاصل پرگنه ها در محیط کشت حداقل بعد از 7 تا 14 روز است. بر این اساس 8 گروه سازگاری رویشی به نامهای VCG7, VCG6, VCG5, VCG4, VCG3, VCG2, VCG1 و VCG8تعیین شد که در این میان VCG2, VCG1 و VCG3مربوط به جدایه های عامل پژمردگی، VCG4 شامل جدایه های عامل پژمردگی و پوسیدگی انتهائی ساقه، VCG5 شامل فقط یک عضو مربوط به پوسیدگی انتهایی ساقه, VCG7,VCG6 و VCG8مربوط به جدایه های عامل پوسیدگی خشک فوزاریومی سیب زمینی بودند. به نظر می رسد بین جدایه های عامل پژمردگی و پوسیدگی انتهائی ساقه همولوژی ژنتیکی وجود داشته باشد. ارتباطی بین VCG و پراکنش جغرافیائی جدایه ها وجود نداشت. از آنجا که از گروههای سازگاری رویشی استاندارد( به علت عدم وجود آنها) استفاده نشده است، نامگذاری گروهها به روش معمول صورت نگرفته است. | ||
کلیدواژهها | ||
گروههای سازگاری رویشی | ||
عنوان مقاله [English] | ||
- | ||
چکیده [English] | ||
In this research 40 isolates of Fusarium oxysporum f.sp. tuberosi, the causal agent of three important diseases of potato in field or storage namely, Fusarium dry rot, Wilt and Stem end-rot were used for determination of Vegetative Compatibility Groups (VCG). At first nit mutants were generated on chlorate media and then nit mutants were assigned to different phenotypic classes on the basis of their growth on media containing one of the five different nitrogen sources ( NaNO3, NaNO2, Hypoxanthine, Ammonium nitrate and Uric acid). 49.9% of nit mutants were classified to nit1, 30.3% to nit3 and 15.9% to NitM phenotypic classes. For complementation tests and determining VCGs , all NitM mutants of every isolate were paired with nit1 or nit3 mutants of other isolates. Generating of dense aerial growth in touch place of colonies after 7 to 14 days shows vegetative compatibility. On this basis eight VCGs were determined as VCG1, VCG2, VCG3, VCG4, VCG5, VCG6, VCG7 and VCG8. VCG1, VCG2 and VCG3 belonged to wilt isolates. VCG4 contains isolates that belonged to wilt and stem end rot. VCG5 having just one isolate that belonged to Stem end rot. VCG6, VCG7 and VCG8 contained fusarium dry rot isolates. Results show the possibility of some genetical homology between wilt and stem end rot isolates. There was not any relationship found between geographical distribution and VCGs. | ||
کلیدواژهها [English] | ||
Fusarium oxysporum f.sp. tuberosi, VCG, Vegetative compatibility groups (VCG) | ||
آمار تعداد مشاهده مقاله: 1,800 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 1,383 |